制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:6.4 A

Rds On-漏源导通电阻:31 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:12 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

晶体管类型:P-Channel Power MOSFET

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:14 S

下降时间:48 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:43 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:71 ns

典型接通延迟时间:25 ns